우수한 물리적 및 화학적 특성을 가진 재료로서, 고순도 석영 튜브는 반도체 제조, 특히 혈장 강화 화학 증기 증착 (PECVD) 기술에서 중요한 역할을합니다.

고순도 석영 튜브의 특성

고급 쿼츠 튜브의 주요 성분은 특수 재료 준비 과정을 통해 얻을 수있는 이산화 실리콘 (SIO2)입니다.

이 자료에는 다음과 같은 중요한 특성이 있습니다.

고순도 : 반도체 제조 공정에서 불순물 함량을 효과적으로 줄여 장치의 성능과 안정성을 향상시킵니다.

고온 안정성 : 최대 1200 ° C의 온도를 견딜 수 있으며 고온에서 변형 또는 균열이 발생하지 않아 제조 공정의 신뢰성과 안정성을 보장합니다.

부식 저항성 : 산 및 알칼리 저항성, 산화 저항성 및 부식 저항성이 우수하며 강산, 강한 알칼리 및 고도로 산화 된 가스와 같은 다양한 환경에서 반도체 장치를 효과적으로 보호 할 수 있습니다.

탁월한 광학적 특성 : 우수한 광 투과율을 가지며 대부분의 자외선, 가시적 및 근적외선 스펙트럼에 침투 할 수 있으며, 반도체 장치의 제조를위한 고품질 광학 재료를 제공합니다.

PECVD 기술 소개

PECVD (플라즈마 강화 화학 증기 증착)는 반도체 산업에서 일반적으로 사용되는 박막 증착 기술입니다. 화학 증기 증착 (CVD)의 기본 원리를 혈장 기술과 결합하여 고품질의 박막을 생산하고 특성을 정확하게 제어합니다. 전통적인 CVD 기술과 비교하여 PECVD는 혈장을 사용하여 증착 효율을 향상시켜 저온에서 재료 증착을 가능하게합니다.

PECVD 공정에서, 저압 하의 저온 혈장은 증착 챔버의 음극에서 글로우 방전을 유발한다. 샘플을 난방 장치에 의해 정해진 온도로 가열하고, 특정 양의 공정 가스가 도입된다. 이들 가스는 혈장의 작용 하에서 다양한 화학 반응을 겪고, 샘플 표면에 고체 박막을 형성한다.

PECVD에서 고순도 석영 튜브의 적용

반응 챔버 벽 물질 :

그만큼 고순도 석영 튜브는 PECVD 공정에서 반응 챔버의 벽 재료로서 사용될 수있다. 탁월한 내식성과 고온 안정성으로 인해 고온과 부식성 가스의 침식에 저항하고 반응 챔버의 순도와 정확성을 보장 할 수 있습니다.

전극 및 히터 :

PECVD 시스템에서 고순도 석영 튜브는 전극 및 히터로도 사용할 수 있습니다. 우수한 전기적 특성과 고온 안정성으로 인해 고 전기장과 고온 환경에서 안정적으로 작동하여 증착 공정의 원활한 진행을 보장합니다.

창 자료 :

고순도 석영 튜브는 이온 임플란트 공정에서 창 재료로서 사용될 수있다. PECVD 공정에서, 창 재료는 장비의 진공 및 부식 저항을 보호해야하며, 고급 쿼츠 튜브는 이러한 요구 사항을 충족시킵니다.

증착 효율과 품질 향상 :

고급 쿼츠 튜브의 우수한 광 투과율로 인해, 혈장에서 반응 가스의 균일 한 분포 및 충분한 반응이 보장되어 증착 효율을 향상시킬 수있다. 동시에, 고급 재료의 사용은 또한 영화의 품질에 대한 불순물의 영향을 줄여서 영화의 균일 성과 성능을 향상시킨다.

정기적으로 석영 튜브를 교체하는 것의 중요성

PECVD 공정 동안, SINX 및 기타 물질 층은 서비스 시간이 증가함에 따라 석영 튜브의 외벽에 침전 될 것이다. 이 퇴적물 층은 석영 튜브의 여기 효과에 영향을 미치며, 이는 퇴적 된 필름의 품질과 효율에 영향을 미칩니다. 따라서, 고급 쿼츠 튜브를 정기적으로 교체하는 것은 PECVD 공정의 안정성과 필름의 품질을 보장하는 데 중요한 조치입니다.

PECVD 기술에 고급 쿼츠 튜브를 적용하는 것은 대체 할 수없는 중요합니다. 우수한 물리적 및 화학적 특성을 통해 고온, 고 전기장 및 부식성 환경에서 안정적으로 작동하여 증착 공정의 원활한 진행과 필름의 고품질을 보장합니다.

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