20-50mm 小型透明溶融シリカスロットロッド
20~50mmの小さいサイズ 透明溶融シリカスロットロッド は、高純度二酸化ケイ素 (SiO 2 含有量 ≥ 99.95%) を高温プラズマ溶融プロセスによって製造した特殊なガラスロッドです。
主な機能には次のようなものがあります。
高温耐性: 軟化点温度は1730℃に達し、1100℃で長時間使用できます。短期温度耐性は最大1450℃に達し、高温処理環境に適しています。
化学的安定性: フッ酸を除くいかなる酸ともほとんど反応せず、耐酸性はセラミックスの30倍、ステンレス鋼の140倍であり、腐食性の高い環境下でも長期安定性を確保します。
熱膨張率が通常のガラスの1/10~1/20と非常に低く、急激な温度変化(1100℃に加熱して冷水に直接入れても爆発しないなど)にも耐え、加工時の熱応力による割れを防ぎます。
光学的透明性: 99% 以上の透過率により、紫外から赤外までの全帯域光透過をサポートし、材料純度に対する光学システムの厳しい要件を満たします。
典型的なアプリケーション シナリオ:
半導体製造におけるチップキャリアボートとして使用され、酸化拡散プロセスにおけるチップ挿入の位置決めに使用されるスロットロッド。
光ファイバーの均一な線引きを保証する光ファイバープリフォームの製造における構造サポートコンポーネント。
レーザー技術における光学窓または反射基板は、高エネルギーのレーザー光線への長期間の曝露に耐えることができます。

コアアプリケーション領域: 業界の問題点を解決する「プレシジョンキー」
1. 半導体産業: チップ処理歩留まりの向上
問題の背景:半導体の酸化拡散プロセスにおいて、従来の石英ボートのスロットバーでは位置精度不足によりチップ挿入位置ずれが発生しやすく、シリコンウェーハ表面に不均一な拡散が発生して歩留まりの低下を引き起こしていました。
解決:
この製品は、V 字型クランプ ブロックのセンタリング技術によりミリメートル レベルの位置決め精度を実現し、スロット間隔誤差が 0.02 mm 以下であることを保証します。
表面平滑度はRa≤0.05μmに達し、チップと溝ロッド間の摩擦損傷を軽減します。
さまざまなプロセス要件を満たすために、マルチアングル スロッティング (0 °、90 °、180 ° 回転位置決めなど) をサポートします。
事例: 12 インチ ウェーハ製造工場がこの製品を採用した後、チップ挿入オフセット率が 0.3% から 0.05% に減少し、ラインごとの年間リワーク コストが 200 万元以上節約されました。
2. 光ファイバー通信:光信号伝送の安定性を確保
問題の背景: ファイバープリフォームロッドの製造において、従来の石英ロッドは気泡やガスラインの欠陥による光損失の増加に悩まされ、ファイバーの帯域幅性能に影響を与えます。
解決:
プラズマ溶融技術を使用すると、材料の内部気泡含有量は ≤ 0.001%、ガスライン密度は ≤ 0.5 ストリップ/cm になります。
延伸工程中のロッドの変形による繊維の破損を避けるために、曲率は全長の 3 パーセント以内に制御する必要があります。
さまざまなファイバー延伸装置に合わせて、直径 1 ~ 50 mm のカスタマイズされた勾配サイズをサポートします。
事例: ある光ファイバー企業がこの製品を使用したところ、ファイバー減衰係数が 0.22dB/km から 0.18dB/km に減少し、国際トップレベルに達しました。
3. レーザー技術:装置の耐用年数を延長
問題の背景: 高エネルギーレーザーでは、従来のミラー基板は熱膨張係数が高いため変形しやすく、長期使用中にビームの偏りが生じます。
解決:
熱膨張係数は 0.5 × 10 -7/℃ と低く、膨張率がゼロに近い材料 (米国の Corning 7971 クォーツなど)。
優れた耐放射線性、10 ⁶ Gy を超えるガンマ線に変色することなく耐えることができます。
コーティングプロセス(反射防止膜や高反射率膜など)をサポートし、光学部品のエネルギー許容閾値を高めます。
事例:某レーザー加工センターに本製品を採用していただき、リフレクターの交換周期が6ヶ月から3年に延長され、装置の総合稼働率が40%向上しました。

カスタマイズされたサービス: 要件から製品までの「フルリンクサポート」
1. サイズや形状のカスタマイズ
直径範囲:20〜50mm(20mm、25mm、30mm、40mm、50mmなどの標準仕様、またはカスタマイズされた非標準サイズをサポート)。
長さ範囲: 100-3000mm (顧客のプロセス要件に応じて切り詰められます);
断面形状:円形、半円形、D形、異形断面(キー溝付き、ネジ付きなど)。
2. パフォーマンス向上オプション
高温耐性のアップグレード: ゲルマニウム (Ge) 元素をドーピングすることにより、短期耐性温度が 1600 ℃ に増加しました。
耐放射線処理: 水素酸素火炎アニールプロセスを使用して、材料内の内部欠陥の密度を減らし、耐放射線性能を向上させます。
表面処理:研磨(Ra≦0.01μm)、コーティング(反射防止・高反射・分光コート)、エッチング(マイクロナノ構造加工)等のサービスを提供します。

20~50mmの小型透明溶融シリカスロットロッドは、「高精度、高安定性、高度なカスタマイズ」という核心的な利点を備え、半導体、光ファイバー、レーザーなどのハイエンド製造分野における「基本材料のベンチマーク」となっています。チップ処理歩留まりの向上、光ファイバー伝送品質の確保、レーザー機器の寿命延長など、この製品は信頼性の高いソリューションを提供します。さらに技術的な詳細が必要な場合、またはサンプルテストが必要な場合は、いつでもお気軽にお問い合わせください。

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